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    本發明是在於提一種使能夠增多被保持於載體的半導體裝置用封裝的數量來提高半導體裝置的製造效率之半導體裝置用封裝的集合體。以黑色的樹脂所形成的第2外罩來覆蓋以白色的樹脂將保持被折彎的複數的接點部成形之第1外罩的預定的區域，以二次成形用載體來高密度地支撐複數的第2外罩。接點部的連結部及第1，第2外罩的一方或雙方是藉由埋入射出成型來一體化。
    公开号:TW201324703A
    申请号:TW101138078
    申请日:2012-10-16
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Takaaki Kudo；Naofumi Ikenaga；Tetsu Urano
    申请人:Japan Aviation Electron；
    IPC主号:H01L33-00
    专利说明:
    半導體裝置用封裝的集合體、半導體裝置的集合體、半導體裝置的製造方法
    此發明是有關半導體裝置用封裝的集合體，半導體裝置的集合體，半導體裝置的製造方法。
    以往，有總括製造複數的封裝之發光裝置的製造方法為人所知(日本特開2011-138849號公報(參照段落0067，0072~0078，圖1，圖7~圖10等))。根據圖28~圖32來說明此製造方法。另外，圖28~圖32是分別對應於日本特開2011-138849號公報的圖1，圖7~圖10。但，圖中的符號被變更，一部分的符號被削除。
    首先，如圖32A，圖32B所示般，在以上金屬模具931a及下金屬模具931b所形成的空間充填白色的第2樹脂材料，將第2成形樹脂906及導體部904一體成型(一次成型)。其結果，複數的第2成形樹脂906會等間隔排列於1個的基板911(參照圖29)。第2成形樹脂906是被保持於基板911的導體部904a~904h(參照圖30A，圖31A)。另外，基板911是將1片的金屬薄板沖裁加工後的平板狀者，以成為發光裝置901的導線的複數組的導體部904a~904f，及支撐複數組的導體部904a~904f的載體915所構成。並且，導體部904a~904f是水平延伸。
    其次，如圖32C，圖32D所示，在以上金屬模具941a及下金屬模具941b所形成的空間中充填黑色的第1樹脂材料，將第1成形樹脂905及第2成形樹脂906及導體部904(904a~904h)一體成型(二次成型)。其結果，封裝902會被形成。
    然後，在封裝902的凹部902a的底面902c配置發光元件903，且以金屬線(wire)907來電性連接露出於凹部902a的底面902c的導體部904a~904f的一部分與發光元件903的電極端子。
    其次，在封裝902的凹部902a注入密封材料，使硬化而形成密封構件(未圖示)。
    然後，從排列封裝902的基板911切出封裝902。
    最後，使從封裝902的側面902e水平露出的導體部904a~904f從封裝902的側面902e沿著背面(底面)902f的方式彎曲，而形成外部連接用的端子部。
    藉由此製造方法製造的發光裝置901是例如作為顯示裝置(未圖示)的零件使用。此情況，複數的發光裝置901是在未圖示的基板上矩陣狀地配置，焊接。並且，在基板上所配置的發光裝置901的周圍流入黑色的樹脂，形成黑色的樹脂層(未圖示)，以該樹脂層來覆蓋露出於發光裝置901的側面902e的導體部904a~904f，確保高的對比度。
    當上述的發光裝置901的高度尺寸(從封裝902的上面902d到導體部904a~904f的外部連接用的端子部的長度)大時，在顯示裝置的製造中，在發光裝置901的周圍流入黑色的樹脂時，該樹脂恐有附著於發光裝置901的密封構件的表面之虞。
    為了避免，只要拉長導體部904a~904f而擴大發光裝置901的高度尺寸即可。但，如此一來，基板911上的封裝902的配置間距會變大，被保持於基板911的封裝902的密度會變低，發光裝置901的製造效率會變差。
    此發明是有鑑於如此的情事而研發者，其課題是使能夠增多被保持於載體的半導體裝置用封裝的數量來提高半導體裝置的製造效率。
    為了達成上述目的，本發明的第1態樣是提高一種半導體裝置用封裝的集合體，其係具備：複數的半導體裝置用封裝，其係分別為具備：被折彎成預定的形狀的複數的接點部，及以明色的樹脂所成形，保持前述複數的接點部的第1外罩，及以暗色的樹脂所成形，覆蓋前述第1外罩的預定的區域的第2外罩；及載體，其係高密度地支撐該複數的半導體裝置用封裝，又，前述接點部係具有：連接半導體元件的第1連接部，及被連接至基板的第2連接部，及連結前述第1，第2連接部的連結部，前述第1連接部係朝收容被形成於前述第1外罩的上面部的前述半導體元件之收容空間露出，前述第2連接部係從前述第1，第2外罩的下部往外部露出，前述連結部及至少前述第1外罩係藉由埋入射出成型來一體化。
    較理想是前述接點部的厚度尺寸要比前述載體的厚度尺寸小。
    較理想是前述連結部往前述第1外罩的高度方向延伸，前述第1，第2連接部是往與前述第1外罩的高度方向正交的方向延伸。
    較理想是前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    更理想是前述連結部是以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    為了達成上述目的，本發明的第2態樣是提供一種半導體裝置的集合體，其係被連接至前述第1連接部的前述半導體元件為藉由被充填於前述收容空間的透明的樹脂來密封於前述收容空間。
    較理想是前述半導體元件為發光二極體。
    為了達成上述目的，本發明的第3態樣是提供一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置係具備：複數的接點部，其係被折彎成預定的形狀；第1外罩，其係以明色的樹脂所成形，保持前述複數的接點部；及第2外罩，其係以暗色的樹脂所成形，覆蓋前述第1外罩的預定的區域，前述接點部係具有：連接半導體元件的第1連接部，及被連接至基板的第2連接部，及連結前述第1，第2連接部的連結部，前述第1連接部係露出於收容被形成在前述第1外罩的上面部的前述半導體元件之收容空間，前述第2連接部係從前述第1，第2外罩的下部往外部露出，前述連結部及至少前述第1外罩係藉由埋入射出成型來一體化，其特徵為包含：一次成形工程，其係以前述明色的樹脂來埋入射出成型前述接點部的前述連結部，而使保持於前述第1外罩；一次成形用載體取下工程，其係前述一次成形工程之後，取下支撐前述複數的接點部的一次成形用載體；二次成形工程，其係於前述一次成形用載體取下工程之後，將前述第1外罩收容於被形成在二次成形用載體的複數的外罩收容孔，以前述暗色的樹脂來埋入射出成型前述第1外罩及朝前述外罩收容孔內的前述第1外罩突出的前述二次成形用載體的突起部，而覆蓋前述第1外罩的預定的區域的同時，將使前述第1外罩與前述突起部連結的前述第2外罩成形；半導體元件搭載工程，其係於前述二次成形工程之後，將前述半導體元件收容於前述第1外罩的收容空間而連接至前述第1連接部，在該收容空間充填透明的樹脂；及二次成形用載體取下工程，其係於前述半導體元件搭載工程之後，從前述第2外罩取下前述二次成形用載體。
    若根據此發明，則可使被保持於載體的半導體裝置用封裝的數量增多，而可提高半導體裝置的製造效率。
    本發明的上述及其他的目的、特徵及優點是可由根據附圖的以下詳細說明更明確。
    以下，根據圖面說明此發明的實施形態。
    如圖1~圖6所示般，此發明之一實施形態的半導體裝置用封裝的集合體80是以複數的半導體裝置用封裝70及二次成形用載體60所構成。
    半導體裝置用封裝70是以複數的接點部10、第1外罩20及第2外罩30所構成。
    如圖6所示般，各接點部10是具有第1連接部11、第2連接部12及連結部13。在接點部10是例如被施以鍍銀。接點部10的厚度尺寸(例如0.15mm)是比後述的二次成形用載體60的厚度尺寸(例如0.2mm)更小。在複數的接點部10雖含有6種類的接點部10(參照圖7，圖8)，但該等的主要不同是僅第1連接部11的形狀，因此不對每個種類說明接點部10。
    在第1連接部11是搭載有發光二極體(半導體元件)100(參照圖25)。發光二極體100是藉由接合線(Bonding Wire)(未圖示)來電性連接至第1連接部11。發光二極體100是紅色，綠色，藍色發光二極體的3種類的發光二極體。第1連接部11是露出於後述的收容空間21。第2連接部12是藉由焊接來電性連接至印刷基板(基板)200(參照圖26)。第2連接部12是從第1，第2外罩20，30的下部往外部露出。連結部13是連結第1連接部11與第2連接部12。
    連結部13是往第1外罩20的高度方向H延伸，第1，第2連接部11，12是往與高度方向H正交的方向C延伸。
    連結部13是被第1外罩20及第2外罩30夾著。
    如圖3，圖4，圖5，圖6所示般，第1外罩20是框體狀，在內部形成有空間(參照圖18)。並且，在第1外罩20的上面部形成有用以收容發光二極體100的收容空間21。第1外罩20是藉由明色例如白色的樹脂所成形。第2外罩30是覆蓋第1外罩20的外周面(預定的區域)及第1外罩20的內部壁面(預定的區域)。第1外罩20的外周面是包括第1外罩20的正面20a，背面20b，兩側面20c(參照圖15)。第1外罩20的內部壁面是包括第1外罩20的內周面20d，頂面20e(參照圖18)。第2外罩30是藉由暗色例如黑色的樹脂所成形。接點部10是藉由埋入射出成型(insert molding)來一體化成第1外罩20及第2外罩30。
    二次成形用載體60是具有外罩收容孔61及突起部62。外罩收容孔61是收容第1外罩20及第2外罩30。各一對的對向的突起部62是支持第2外罩30。
    二次成形用載體60是藉由對金屬板施以沖裁加工所形成。在二次成形用載體60是未被施以電鍍。
    其次，說明發光裝置(半導體裝置)120的製造方法。
    首先，藉由對金屬板(未圖示)施以沖裁加工及彎曲加工來形成圖7，圖8所示的複數的接點部10。此時複數的接點部10與一次成形用載體40是一體連接。一次成形用載體40是連接至接點部10的第2連接部12。
    其次，如圖9所示般，將被一次成形用載體40所支撐的複數的接點部10配置於一次成形用的金屬模具(未圖示)的下金屬模具，且將上金屬模具組合於該下金屬模具，在以下金屬模具及上金屬模具所形成的空間充填白色的流動狀態的樹脂，使硬化而形成圖10，圖11，圖12所示的第1外罩20(一次成形工程)。以6個的接點部10及1個的第1外罩20來形成1個的封裝中間體50。
    然後，將支撐封裝中間體50的接點部10的一次成形用載體40切離(一次成形用載體取下工程)。其結果，可取得圖13~圖18所示的單體的狀態的封裝中間體50。
    其次，移至二次成形工程，使複數的封裝中間體50整列於二次成形用的金屬模具(未圖示)的下金屬模具內(參照圖19)。
    然後，如圖19所示般，在被整列的封裝中間體50，使二次成形用載體60從其上方覆蓋，如圖20，圖21，圖22，圖23所示般，在二次成形用載體60的複數的外罩收容孔61分別收容封裝中間體50。
    其次，對二次成形用的金屬模具的下金屬模具組合上金屬模具，在以下金屬模具及上金屬模具所形成的空間充填流動狀態的黑色的樹脂，使硬化而形成圖4所示的第2外罩30。此時藉由黑色的樹脂來分別覆蓋第1外罩20的外周面及內部壁面。如此一來，形成被二次成形用載體60所高密度支撐的複數的半導體裝置用封裝70(參照圖3)，完成二次成形工程。
    藉由以上的工程來完成以二次成形用載體60及複數的半導體裝置用封裝70所構成的半導體裝置用封裝的集合體80(參照圖1~圖4)。
    其次，利用未圖示的安裝機來將發光二極體100(參照圖24，圖25)連接至露出於收容空間21的第1連接部11，且在收容空間21充填流動狀態的透明的樹脂110，使硬化，而如圖24所示般，在收容空間21密封發光二極體100(半導體元件搭載工程)。其結果，如圖24所示般，完成被二次成形用載體60所支撐的發光裝置120的集合體。
    最後，從二次成形用載體60的突起部62取下發光裝置120(二次成形用載體取下工程)。以上的工程，可取得圖25所示的單體的狀態的發光裝置120。
    其次，說明使用發光裝置120的顯示裝置300的製造方法。
    首先，如圖26所示般，在印刷基板200上矩陣狀地配置複數的發光裝置120，且焊接安裝。
    然後，如圖27所示般，在印刷基板200上的發光裝置120的周圍充填暗色例如黑色的流動狀態的樹脂，使硬化而形成黑色的樹脂層210。因為發光裝置120的高度尺寸大，所以黑色的樹脂錯誤附著於發光裝置120的上面的作業失誤不易發生。藉由形成黑色的樹脂層210，在顯示畫像時可取得高對比度。
    藉由以上的工程來完成顯示裝置300。
    此實施形態的作用效果是如其次般。
    如上述般被折彎成預定的形狀的複數的接點部10是以第1外罩20所保持(參照圖12)，覆蓋第1外罩20的第2外罩30是被可高密度配置半導體裝置用封裝70的二次成形用載體60所支撐(參照圖21，圖24)，因此可製造高度尺寸大的半導體裝置用封裝70，進而能夠製造高度尺寸大的發光裝置120，可減少製造顯示裝置300時的作業失誤(黑色的樹脂錯誤附著於發光裝置120的上面)的同時，可對被高密度整列的半導體裝置用封裝70搭載發光二極體100。因此，相較於導體部904a~904f水平延伸的狀態下被支撐於載體915，且封裝902被低密度支撐於載體915的以往技術(圖29，圖31B參照)，可效率佳地製造發光裝置120。
    並且，為了支撐半導體裝置用封裝70，而採用專用的載體(二次成形用載體60)，所以可將接點部10的厚度尺寸形成比二次成形用載體60的厚度尺寸小。因此，可對應於接點部的形狀的複雜化的同時，可確保影響發光二極體100的搭載作業或二次成形作業之二次成形用載體60的強度。
    而且，因為接點部10(被折彎的狀態的接點部10)的連結部13及第1外罩20是藉由埋入射出成型來一體化，所以接點部10的連結部13不易從第1外罩20剝離，可確保第2連接部12的位置精度。因此，顯示裝置300的製造時，在印刷基板200安裝發光裝置120時，因為發光裝置120對於印刷基板200的安裝面幾乎沒有傾斜，所以在顯示裝置300的畫面不易產生偏差。在此實施形態中，接點部10的連結部13是以第1外罩20及第2外罩30所夾著，因此接點部10的連結部13可更不易從第1外罩20剝離。
    另外，上述的實施形態是將接點部10的厚度尺寸形成比二次成形用載體60的厚度尺寸小，但亦可將接點部10的厚度尺寸形成與二次成形用載體60的厚度尺寸同等，或比二次成形用載體60的厚度尺寸更大。
    並且，在上述的實施形態中，第2外罩30是覆蓋第1外罩20的外周面及第1外罩20的內部壁面，但藉由第2外罩30所覆蓋的第1外罩20的預定的區域並非限於此。
    另外，在上述的實施形態中，接點部10的連結部13是以第1外罩20及第2外罩30所夾著，但並非一定要以第1外罩20及第2外罩30來夾著連結部13。
    並且，此實施形態是以白色的樹脂來將第1外罩20成形，以黑色的樹脂來將第2外罩30成形，但第1外罩20並非限於白色，只要是以明色的樹脂來成形即可，又，第2外罩30並非限於黑色，只要使以暗色的樹脂來成形即可。
    另外，半導體元件不限於發光二極體100。
    以上是本發明的理想的態樣說明，但只要不脫離本發明的精神及範圍，亦可實施各種的變更。
    10‧‧‧接點部
    11‧‧‧第1連接部
    12‧‧‧第2連接部
    13‧‧‧連結部
    20‧‧‧第1外罩
    20a‧‧‧正面
    20b‧‧‧背面
    20c‧‧‧兩側面
    21‧‧‧收容空間
    30‧‧‧第2外罩
    40‧‧‧一次成形用載體
    50‧‧‧封裝中間體
    60‧‧‧二次成形用載體
    61‧‧‧外罩收容孔
    62‧‧‧突起部
    70‧‧‧半導體裝置用封裝
    80‧‧‧集合體
    100‧‧‧發光二極體(半導體元件)
    120‧‧‧發光裝置(半導體裝置)
    200‧‧‧印刷基板(基板)
    300‧‧‧顯示裝置
    901‧‧‧發光裝置
    902‧‧‧封裝
    902a‧‧‧凹部
    902c‧‧‧底面
    902d‧‧‧上面
    902e‧‧‧側面
    902f‧‧‧背面(底面)
    903‧‧‧發光元件
    904‧‧‧導體部
    904a~904h‧‧‧導體部
    905‧‧‧第1成形樹脂
    906‧‧‧第2成形樹脂
    907‧‧‧金屬線
    911‧‧‧基板
    915‧‧‧載體
    931a‧‧‧上金屬模具
    931b‧‧‧下金屬模具
    941a‧‧‧上金屬模具
    941b‧‧‧下金屬模具
    圖1是此發明之一實施形態的半導體裝置用封裝的集合體的平面圖。
    圖2是圖1所示的半導體裝置用封裝的集合體的側面圖。
    圖3是圖1所示的半導體裝置用封裝的集合體的A部的擴大立體圖。
    圖4是沿著圖1的IV-IV線的剖面圖。
    圖5是沿著圖4的V-V線的剖面圖。
    圖6是沿著圖4的VI-VI線的剖面圖。
    圖7是被一次成形用載體所支撐的接點部的立體圖。
    圖8是被一次成形用載體所支撐的接點部，組合於圖7所示的接點部之接點部的立體圖。
    圖9是表示圖7所示的接點部與圖8所示的接點部彼此相對的狀態的立體圖。
    圖10是藉由埋入射出成型來使接點部與第1外罩一體化而構成的封裝中間體的立體圖。
    圖11是封裝中間體的側面圖。
    圖12是沿著圖11的XII-XII線的剖面圖。
    圖13是從圖10所示的一次成形用載體切離的封裝中間體的立體圖。
    圖14是圖13所示的封裝中間體的正面圖。
    圖15是圖13所示的封裝中間體的平面圖。
    圖16是圖13所示的封裝中間體的底面圖。
    圖17是圖13所示的封裝中間體的側面圖。
    圖18是沿著圖14的XVIII-XVIII線的封裝中間體的剖面圖。
    圖19是表示將封裝中間體收容於二次成形用載體的外罩收容孔之前的狀態的立體圖。
    圖20是表示將封裝中間體收容於二次成形用載體的外罩收容孔的狀態的立體圖。
    圖21是表示將封裝中間體收容於二次成形用載體的外罩收容孔的狀態的平面圖。
    圖22是圖21的B部的擴大立體圖。
    圖23是沿著圖21的XXIII-XXIII線的剖面圖。
    圖24是表示在圖3所示的半導體裝置用封裝搭載發光二極體之後，在半導體裝置用封裝的收容空間充填透明的樹脂的狀態的立體圖。
    圖25是從圖24所示的二次成形用載體取下的發光裝置的立體圖。
    圖26是表示將複數的發光裝置安裝於印刷基板的狀態的立體圖。
    圖27是表示在圖26所示的複數的發光裝置的周圍充填黑色的樹脂的狀態的立體圖。
    圖28是以往的發光裝置的立體圖。
    圖29是表示以往的發光裝置的製造過程的封裝裝配的一例的平面圖。
    圖30A，30B是表示以往的發光裝置的製造過程的封裝下部側的形狀的立體圖，圖30A是表示一次成型完了時的形狀，圖30B是表示二次成型完了時的形狀。
    圖31A，31B是表示以往的發光裝置的製造過程的封裝上部側的形狀的立體圖，圖31A是表示一次成型完了時的形狀，圖31B是表示二次成型完了時的形狀。
    圖32A~32D是模式性地表示以往的發光裝置的製造工程的剖面圖，圖32A是表示一次成型用金屬模具的一例，圖32B是表示一次成型工程，圖32C是表示二次成型用金屬模具的一例，圖32D是表示二次成型工程。
    10‧‧‧接點部
    11‧‧‧第1連接部
    12‧‧‧第2連接部
    20‧‧‧第1外罩
    21‧‧‧收容空間
    30‧‧‧第2外罩
    60‧‧‧二次成形用載體
    62‧‧‧突起部
    70‧‧‧半導體裝置用封裝
    80‧‧‧集合體
    权利要求:
    Claims (37)
    [1] 一種半導體裝置用封裝的集合體，係具備：複數的半導體裝置用封裝，其係分別為具備：被折彎成預定的形狀的複數的接點部，及以明色的樹脂所成形，保持前述複數的接點部的第1外罩，及以暗色的樹脂所成形，覆蓋前述第1外罩的預定的區域的第2外罩；及載體，其係高密度地支撐該複數的半導體裝置用封裝，又，前述接點部係具有：連接半導體元件的第1連接部，及被連接至基板的第2連接部，及連結前述第1，第2連接部的連結部，前述第1連接部係朝收容被形成於前述第1外罩的上面部的前述半導體元件之收容空間露出，前述第2連接部係從前述第1，第2外罩的下部往外部露出，前述連結部及至少前述第1外罩係藉由埋入射出成型來一體化。
    [2] 如申請專利範圍第1項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述接點部的厚度尺寸係比前述載體的厚度尺寸小。
    [3] 如申請專利範圍第1項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述連結部係往前述第1外罩的高度方向延伸，前述第1，第2連接部係往與前述第1外罩的高度方向正交的方向延伸。
    [4] 如申請專利範圍第2項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述連結部係往前述第1外罩的高度方向延伸，前述第1，第2連接部係往與前述第1外罩的高度方向正交的方向延伸。
    [5] 如申請專利範圍第1項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [6] 如申請專利範圍第2項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [7] 如申請專利範圍第3項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [8] 如申請專利範圍第4項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [9] 如申請專利範圍第5項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [10] 如申請專利範圍第6項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [11] 如申請專利範圍第7項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [12] 如申請專利範圍第8項之半導體裝置用封裝的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [13] 一種半導體裝置的集合體，係被連接至如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置用封裝的集合體之前述半導體元件為藉由被充填於前述收容空間的透明的樹脂來密封於前述收容空間。
    [14] 如申請專利範圍第13項之半導體裝置的集合體，其中，前述接點部的厚度尺寸係比前述載體的厚度尺寸小。
    [15] 如申請專利範圍第13項之半導體裝置的集合體，其中，前述連結部係往前述第1外罩的高度方向延伸，前述第1，第2連接部係往與前述第1外罩的高度方向正交的方向延伸。
    [16] 如申請專利範圍第14項之半導體裝置的集合體，其中，前述連結部係往前述第1外罩的高度方向延伸，前述第1，第2連接部係往與前述第1外罩的高度方向正交的方向延伸。
    [17] 如申請專利範圍第13項之半導體裝置的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [18] 如申請專利範圍第14項之半導體裝置的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [19] 如申請專利範圍第15項之半導體裝置的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [20] 如申請專利範圍第16項之半導體裝置的集合體，其中，前述預定的區域為前述第1外罩的外周面及前述第1外罩的內部壁面。
    [21] 如申請專利範圍第17項之半導體裝置的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [22] 如申請專利範圍第18項之半導體裝置的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [23] 如申請專利範圍第19項之半導體裝置的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [24] 如申請專利範圍第20項之半導體裝置的集合體，其中，前述連結部係以前述第1外罩及前述第2外罩所夾著。
    [25] 如申請專利範圍第13項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [26] 如申請專利範圍第14項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [27] 如申請專利範圍第15項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [28] 如申請專利範圍第16項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [29] 如申請專利範圍第17項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [30] 如申請專利範圍第18項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [31] 如申請專利範圍第19項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [32] 如申請專利範圍第20項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [33] 如申請專利範圍第21項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [34] 如申請專利範圍第22項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [35] 如申請專利範圍第23項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [36] 如申請專利範圍第24項之半導體裝置的集合體，其中，前述半導體元件為發光二極體。
    [37] 一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置係具備：複數的接點部，其係被折彎成預定的形狀；第1外罩，其係以明色的樹脂所成形，保持前述複數的接點部；及第2外罩，其係以暗色的樹脂所成形，覆蓋前述第1外罩的預定的區域，前述接點部係具有：連接半導體元件的第1連接部，及被連接至基板的第2連接部，及連結前述第1，第2連接部的連結部，前述第1連接部係露出於收容被形成在前述第1外罩的上面部的前述半導體元件之收容空間，前述第2連接部係從前述第1，第2外罩的下部往外部露出，前述連結部及至少前述第1外罩係藉由埋入射出成型來一體化，其特徵為包含：一次成形工程，其係以前述明色的樹脂來埋入射出成型前述接點部的前述連結部，而使保持於前述第1外罩；一次成形用載體取下工程，其係前述一次成形工程之後，取下支撐前述複數的接點部的一次成形用載體；二次成形工程，其係於前述一次成形用載體取下工程之後，將前述第1外罩收容於被形成在二次成形用載體的複數的外罩收容孔，以前述暗色的樹脂來埋入射出成型前述第1外罩及朝前述外罩收容孔內的前述第1外罩突出的前述二次成形用載體的突起部，而覆蓋前述第1外罩的預定的區域的同時，將使前述第1外罩與前述突起部連結的前述第2外罩成形；半導體元件搭載工程，其係於前述二次成形工程之後，將前述半導體元件收容於前述第1外罩的收容空間而連接至前述第1連接部，在該收容空間充填透明的樹脂；及二次成形用載體取下工程，其係於前述半導體元件搭載工程之後，從前述第2外罩取下前述二次成形用載體。
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